證券日報網(wǎng)訊 12月9日，晶盛機電在互動平臺回答投資者提問時表示，碳化硅是第三代半導體材料的核心代表。導電型碳化硅材料制成的功率器件能夠更好地適應高壓、高溫工作環(huán)境，在新能源汽車電驅系統(tǒng)、高壓充電設施、儲能及軌道交通等高壓大功率場景具有極大的應用潛力。半絕緣型碳化硅則憑借低載流子濃度與優(yōu)異的微波損耗特性，成為5G/6G基站射頻前端器件的核心襯底材料，同時由于具備優(yōu)異的光學和熱學特性，在AR眼鏡、散熱等終端應用領域有著不可替代的優(yōu)勢。公司碳化硅襯底材料業(yè)務已實現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)?；慨a(chǎn)與銷售，量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標達到行業(yè)一流水平，8英寸碳化硅襯底技術和規(guī)模處于國內(nèi)前列，公司積極推進碳化硅襯底在全球的客戶驗證，送樣客戶范圍大幅提升，產(chǎn)品驗證進展順利，并成功獲取部分國際客戶批量訂單。同時公司首條12英寸碳化硅襯底加工中試線正式通線。

（編輯 叢可心 王雪兒）