本報記者 劉會玲

    7月1日晚間，來自證監(jiān)會消息，中微半導體科創(chuàng)板IPO注冊獲通過。自3月29日提交申報稿獲受理之后，公司經(jīng)歷了四輪問詢，至6月11日提交上會稿；6月26日提交注冊；再到證監(jiān)會同意公司科創(chuàng)板IPO注冊，不到100天時間中微半導體走完了從申報到注冊的所有流程。

    根據(jù)科創(chuàng)板審核流程，在證監(jiān)會同意公司注冊之后，發(fā)行人可在1年之內自主選擇發(fā)行時間。也就是說中微半導體應按照規(guī)定在注冊決定有效期內發(fā)行股票即可。

    據(jù)悉，中微半導體聚焦用于集成電路、LED芯片等微觀器件領域的等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備和MOCVD設備等關鍵設備的研發(fā)、生產和銷售。公司所處的半導體設備行業(yè)屬于半導體產業(yè)鏈的上游核心環(huán)節(jié)之一。

    中微半導體表示，公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米的集成電路加工制造及先進封裝。公司的MOCVD設備在行業(yè)領先客戶的生產線上大規(guī)模投入量產，已成為世界排名前列、國內占主導地位的氮化鎵基LED設備制造商。

    此外，中微半導體在招股書中披露到，公司開發(fā)出與美國設備公司具有同等質量和相當數(shù)量的等離子體刻蝕設備并實現(xiàn)量產。

    記者梳理公司資料發(fā)現(xiàn)，中微半導體在全球多地設有營銷中心，負責公司所有產品的銷售管理。下設國內、韓國、日本、新加坡、美國等國家或者地區(qū)銷售部門。

    截至2019年2月28日，中微半導體及其子公司擁有484項在中國境內注冊專利，467項在境外注冊的專利。

    公司管理層高度重視研發(fā)，2016年至2018年研發(fā)投入分別為3.02億元、3.30億元和4.04億元，累計達到10.37億元。不僅如此，公司董事長尹志堯從事半導體行業(yè)數(shù)十年，有著豐富的相關工作經(jīng)驗。

    據(jù)介紹，尹志堯1944年生，中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984年至1986年，就職于英特爾中心技術開發(fā)部，擔任工藝工程師；1986年至1991年，就職于泛林半導體，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經(jīng)理；1991年至2004年，就職于應用材料，曾任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官等職務；2004年至今，擔任中微公司董事長及總經(jīng)理。

    有市場分析人士指出，“公司重視研發(fā)投入，會促進公司的核心技術開發(fā)，擁有自己的專利技術，這樣才能在國際市場立足發(fā)展。”

（編輯 白寶玉）